未分類 2026 年 5 月 8 日 1 分鐘閱讀 [AI 改寫] 次世代 DRAM 架構戰開打！三星擬導入 GAAFET、SK 海力士走垂直堆疊 來源：https://technews.tw/2026/05/08/samsung-sk-hynix-ai-memory/ 根據業界消息，三星與 SK 海力士正採用兩種不同策略來製造下一代 DRAM 記憶體晶片，三星考慮將環繞閘極電晶 […] 本文內容經由 AI 自動處理與彙整。